Съдържание:
Определение - Какво означава Flash памет?
Флаш паметта е енергонезависим чип за памет, използван за съхранение и за прехвърляне на данни между персонален компютър (компютър) и цифрови устройства. Той има способността да бъде препрограмиран и изтрит по електронен път. Често се среща в USB флаш дискове, MP3 плейъри, цифрови камери и твърди устройства.
Флаш паметта е вид електронно изтриваема програмируема памет само за четене (EEPROM), но може да бъде и самостоятелно устройство за запаметяване на памет като USB устройство. EEPROM е тип устройство за памет, използващо електронно устройство за изтриване или запис на цифрови данни. Флаш паметта е отделен тип EEPROM, който се програмира и изтрива в големи блокове.
Флаш паметта включва използването на транзистори с плаваща порта за съхранение на данни. Транзистори с плаващ затвор или плаващ затвор MOSFET (FGMOS) е подобен на MOSFET, който е транзистор, използван за усилване или превключване на електронни сигнали. Транзисторите с плаващ затвор са електрически изолирани и използват плаващ възел в постоянен ток (DC). Флаш паметта е подобна на стандартната MOFSET, с изключение на това, че транзисторът има две врати вместо една.
Техопедия обяснява флаш паметта
Флаш паметта е представена за първи път през 1980 г. и е разработена от д-р Фуджио Масуока, изобретател и мениджър фабрика на средно ниво в Toshiba Corporation (TOSBF). Флаш паметта е кръстена на способността си да изтрие блок данни "" в светкавица. "Целта на д-р Масуока беше да създаде чип на паметта, запазващ данните, когато захранването беше изключено. Д-р Масуока също измисли вид памет, известна като SAMOS и разработи динамична памет с произволен достъп 1Mb (DRAM). През 1988 г. Intel Corporation произведе първия търговски флаш чип тип NOR, който замени чипа за постоянна памет само за четене (ROM) на дънните платки на компютъра, съдържащ основния операционен вход / изход система (BIOS).
Чип за флаш памет е съставен от порти NOR или NAND. NOR е тип клетка памет, създадена от Intel през 1988 г. Интерфейсът на портата NOR поддържа пълни адреси, шини за данни и произволен достъп до всяко място в паметта. Срокът на годност на светкавицата NOR е от 10 000 до 1 000 000 цикъла запис / изтриване.
NAND е разработен от Toshiba година след производството на NOR. Той е по-бърз, има по-ниска цена на бит, изисква по-малко чип площ на клетка и има добавена устойчивост. Срокът на годност на портата NAND е приблизително 100 000 цикъла запис / изтриване. В светлината на портата NOR всяка клетка има край, свързан с битова линия, а другият край свързан със земя. Ако думата линия е "висока", тогава транзисторът продължава да понижава изходната битова линия.
Флаш паметта има много функции. Той е много по-евтин от EEPROM и не изисква батерии за твърдо съхранение като статична RAM (SRAM). Той е енергонезависим, има много бързо време за достъп и има по-висока устойчивост на кинетичен удар в сравнение с твърд диск. Флаш паметта е изключително издръжлива и издържа на интензивно налягане или екстремни температури. Може да се използва за широк спектър от приложения като цифрови фотоапарати, мобилни телефони, лаптоп компютри, PDA (лични цифрови асистенти), цифрови аудио плейъри и SSD устройства.
