Съдържание:
- Определение - Какво означава резистивна памет с произволен достъп (ReRAM)?
- Techopedia обяснява резистивна памет с произволен достъп (ReRAM)
Определение - Какво означава резистивна памет с произволен достъп (ReRAM)?
Резистивна памет с произволен достъп (RRAM / ReRAM) е нов тип памет, проектирана да бъде енергонезависима. Той е в процес на разработка от редица компании, а някои вече са патентовали свои собствени версии на технологията. Паметта работи, като променя съпротивлението на специален диелектричен материал, наречен мемерезистор (резистор на паметта), чието съпротивление варира в зависимост от приложеното напрежение.
Techopedia обяснява резистивна памет с произволен достъп (ReRAM)
RRAM е резултат от нов вид диелектричен материал, който не се поврежда трайно и се отказва при възникване на диелектрично разпадане; за мемрезистор диелектричното разпадане е временно и обратимо. Когато напрежението е умишлено приложено към мемрезистор, в материала се създават микроскопични проводими пътища, наречени нишки. Нишките са причинени от явления като миграция на метали или дори физически дефекти. Нишките могат да бъдат счупени и обърнати чрез прилагане на различни външни напрежения. Именно това създаване и унищожаване на нишки в големи количества дава възможност за съхранение на цифрови данни. Материалите, които имат мемрезисторни характеристики, включват оксиди от титан и никел, някои електролити, полупроводникови материали и дори няколко органични съединения са тествани, за да имат тези характеристики.
Основното предимство на RRAM пред останалите енергонезависими технологии е високата скорост на превключване. Поради тънкостта на мемрезисторите, той има голям потенциал за висока плътност на съхранение, по-голяма скорост на четене и запис, по-ниска консумация на енергия и по-евтини разходи от флаш паметта. Флаш паметта не може да продължи да мащабира поради ограниченията на материалите, така че RRAM скоро ще замени флаш паметта.
